紫外線平版印刷術助AMD&IBM取得新突破
2008-02-29 00:00 來源：新浪 責編：尤思佳
AMD于2月27日宣布，在合作伙伴IBM的幫助下，他們已經取得了45nm制造工藝的關鍵性突破，為進軍16nm技術乃至更小尺寸工藝奠定了堅實基礎。
AMD和IBM成功使用全場(Full-Field)極端遠紫外線(EUV)平版印刷術制造了一顆45nm工藝試驗性芯片，尺寸22×33毫米。此前使用EUV技術生產的芯片部件都是“窄場”(Narrow-Field)的，只設計整個芯片的一部分，而AMD和IBM將其延伸到了芯片上的全部區域，整個第一層金屬互聯層都使用了這種技術。
AMD是在德國德累斯頓Fab 36晶圓廠使用193nm沉浸平版印刷術制造這顆芯片的，隨后將其運往IBM在紐約首府奧爾巴尼納米科學與工程學院的研究工廠，使用荷蘭光刻設備供應商ASML Holding NV的一臺13.5nm EUV平版印刷掃描儀蝕刻了芯片晶體管之間的第一層金屬互聯層，最終完成了這顆芯片。
AMD稱，試驗芯片內部晶體管的“特性與只使用193nm沉浸平版印刷術制造的芯片完全一致”。
最近二十年來，業界一直認為EUV平版印刷術是最有希望的下一代微芯片生產工藝。早在1997年，Intel、AMD、摩托羅拉就聯合成立了一家名為“EUV Limited Liability Corporation”的公司，試圖在100nm工藝水平上取代深紫外線(DUV)，但后者近來不斷進步，已經可以在45nm工藝上大規模量產了，并普遍被認為能延續到22nm。
當然，DUV技術早晚都會走到盡頭，向EUV的轉換可能會出現在16nm工藝上，時間大概是2013年左右
AMD稱，要想將EUV平版印刷術投入實際生產，必須將這種技術擴展到整個微處理器的所有關鍵層上，而不僅限于金屬互聯層。AMD認為，EUV平版印刷術必須在2016年之前獲得投產認證，因為屆時將到達22nm工藝極限。
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